Q24DHCCPU-V基础知识三菱Q24DHCCPU-VEMC

SRAM存储卡。
RAM容量：128KB。输入输出点数：4096点。
大小端模式：小端模式。
SD存储卡：可使用。
不带OS的Q24DHCCPU-LS。
C语言控制器是可在长期稳定供给、高可靠性、、灵活的MELSEC上执行C语言程序的革命性开放平台。
包括预安装有VxWorks，
这C语言控制器可与MELSEC-Q系列的各种模块、
合作伙伴产品以及开放源代码、
客户端程序资产等组合使用，构建各种系统Q24DHCCPU-V
作为可在所有场景下使用，可替代电脑、微机的新平台，
MELSEC C语言控制器更牢固，更简单，更，更灵活，今后也装继续不断发展。
输入输出点数：4096点。
输入输出数据设备点数：8192点。
程序容量：124k。
基本命令处理速度(LD命令)：0.075μS。
指令执行所需的时间和用户程序的长短、指令的种类和CPU执行速度是有很大关系，
一般来说，一个扫描的过程中，故障诊断时间，
通信时间，输入采样和输出刷新所占的时间较少，
执行的时间是占了大部分。
光电耦合器由两个发光二极度管和光电三极管组成。
发光二级管：在光电耦合器的输入端加上变化的电信号，
发光二极管就产生与输入信号变化规律相同的光信号。
输入接口电路工作过程：当开关合上，二极管发光，
然后三极管在光的照射下导通，向内部电路输入信号。
当开关断开，二极管不发光，三极管不导通。向内部电路输入信号。
也就是通过输入接口电路把外部的开关信号转化成PLC内部所能接受的数字信号。
光电三级管：在光信号的照射下导通，导通程度与光信号的强弱有关。
在光电耦合器的线性工作区内，输出信号与输入信号有线性关系。
用户程序存储容量：是衡量可存储用户应用程序多少的指标。
通常以字或K字为单位。16位二进制数为一个字，
每1024个字为1K字。PLC以字为单位存储指令和数据。
一般的逻辑操作指令每条占1个字。定时/计数，
移位指令占2个字。数据操作指令占2~4个字。SRAM存储卡。
RAM容量：512KB。输入电压范围：AC100-240V。
输出电压：DC5V。
输出电源：8.5A。
简化程序调试。
可使用带执行条件的软元件测试功能，在程序上的任意步，
将软元件值更改为用户值。
以往在调试特定回路程序段时，需要追加设定软元件的程序，
而目前通过使用本功能，无需更改程序，即可使特定的回路程序段单独执行动作。
因此，不需要单独为了调试而更改程序，调试操作更简单。
通过软元件扩展，更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点，使程序更容易理解。
自动备份关键数据。
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。